外部資金等受入（教育・社会貢献の外部資金を含む） - 近松　彰

1. 全固体フッ化物イオン電池における高イオン伝導度固体電解質の開発

   近松　彰, 第51回岩谷科学技術研究助成金, （公財）岩谷直治記念財団 , 2025年度, 2,000,000千円

2. 酸フッ化物薄膜の室温マルチフェロイック特性の開発

   基盤研究（Ｂ）, 近松　彰, 2025年度, 1,900,000千円

3. 酸フッ化物薄膜の室温マルチフェロイック特性の開発

   基盤研究（Ｂ）, 近松　彰, 2024年度, 1,900,000千円

4. 酸フッ化物薄膜の室温マルチフェロイック特性の開発

   基盤研究（Ｂ）, 近松　彰, 2023年度, 11,830,000千円

5. 室温で動作するマルチフェロイック酸フッ化物薄膜の開発

   近松　彰, サムコ科学技術振興財団 第5回研究助成 , サムコ科学技術振興財団, 2022年度, 2,000,000千円

6. 遷移金属複合アニオン酸化物薄膜の光機能の開発

   基盤研究（Ｂ）, 近松　彰, 和達　大樹、酒井　志朗 , 2022年度, 1,500,000千円

7. 遷移金属複合アニオン酸化物薄膜の光機能の開発

   基盤研究（Ｂ）, 近松　彰, 和達　大樹、酒井　志朗 , 2021年度, 1,500,000千円

8. 遷移金属複合アニオン酸化物薄膜の光機能の開発

   基盤研究（Ｂ）, 近松　彰, 和達　大樹、酒井　志朗 , 2020年度, 1,500,000千円

9. 遷移金属複合アニオン酸化物薄膜の光機能の開発

   基盤研究（Ｂ）, 近松　彰, 和達　大樹、酒井　志朗 , 2019年度, 9,100,000千円

10. フッ化物イオン電気化学トランジスタの創製

    近松　彰, （公財）住友財団 2017年度基礎科学研究助成, （公財）住友財団, 2017年度, 600,000千円

11. 複合アニオン酸化物エピタキシャル薄膜のトポタクティック合成

    近松　彰, （公財）日本板硝子材料工学助成会　研究成果普及助成, （公財）日本板硝子材料工学助成会, 2017年度, 100,000千円

12. 複合アニオン酸化物をイオン伝導体として用いた全固体電気二重層トランジスタの創製

    近松　彰, （公財）池谷科学技術振興財団　2017年度研究助成, （公財）池谷科学技術振興財団, 2017年度, 1,100,000千円

13. アニオンドープ酸化物エピタキシーの開発

    若手研究（Ａ）, 近松　彰, 2017年度, 1,400,000千円

14. アニオンドープ酸化物エピタキシーの開発

    若手研究（Ａ）, 近松　彰, 2016年度, 1,400,000千円

15. トポタクティック合成による新規遷移金属酸窒化物・酸塩化物薄膜の開発

    近松　彰, （公財）倉田記念日立科学技術財団　平成26年度（第47回）研究助成, （公財）倉田記念日立科学技術財団, 2015年度, 1,000,000千円

16. アニオンドープ酸化物エピタキシーの開発

    若手研究（Ａ）, 近松　彰, 2015年度, 16,400,000千円

17. 原子層制御による反強磁性ハーフメタル酸化物の合成と特性評価

    若手研究, 近松　彰, 2014年度, 1,300,000千円

18. トポタクティック合成を用いた新奇遷移金属酸フッ化物薄膜の創製

    近松　彰, （公財）日本板硝子材料工学助成会　平成25度（第35回）研究助成, （公財）日本板硝子材料工学助成会, 2013年度, 900,000千円

19. 原子層制御による反強磁性ハーフメタル酸化物の合成と特性評価

    若手研究, 近松　彰, 2013年度, 2,100,000千円

20. 原子層制御による反強磁性ハーフメタル材料の創製

    近松　彰, （公財）村田学術振興財団　第28回（平成24年度）研究助成, （公財）村田学術振興財団, 2012年度, 2,000,000千円